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对比 型号 厂商 描述 均价 ECAD 数据手册 替代料
Transphorm Inc
Power Field-Effect Transistor,
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900V 170mΩ GaN FET in TO-220。通过更低的栅极电荷,更低的交叉损耗和更小的反向恢复电荷,提高了硅的效率。
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